AI速率与功耗难题何解？村田给出硅电容的答案
作为全球领先的综合电子元器件制造商，村田制作所（Murata，以下简称：村田）在硅电容领域已深耕20年，凭借从研发到生产的全流程技术积累，在高速光通信市场建立新的竞争优势。
日前，在深圳，《国际电子商情》有幸与村田Computing市场事业群总经理James Huang（黄友信）和高级产品线经理Olivier Gaborieau对话，共同探讨在AI驱动千行百业的时代背景下，村田硅电容的业务进展、发展方向以及对中国市场的相关看法。
AI驱动下，硅电容大有所为
毫无疑问，AI的快速发展正在成为创新推动力，在支持大规模数据处理、高性能通讯的设施及设备中尤为明显。相对于传统电容器，硅电容器具有高频特性、高可靠性、高可用性等特点，在上述领域初露锋芒。市调公司的数据显示，2024年全球硅电容市场规模约16.9亿美元，预计到2033年将达到25.4亿美元，预测期内复合年增长率为4.5％。
James Huang表示，在过去的2024年，村田Computing客户在AI相关领域展现出了势如破竹的快速增长。在可以预见的将来，这一趋势也将继续延续下去。
从整体来看，村田的产品组合覆盖了个人电脑、服务器、交换机、AI加速卡以及电源管理等多个应用领域，展现出全面的市场布局能力。而在这些应用中，光模块产品线的多元性尤为突出。
据介绍，村田的光模块产品不再局限于传统的电容、电感等无源器件，而是扩展至晶体单元（Xtal）、电源管理IC以及先进的硅电容器（Si-Cap）等更为广泛的类别。这种多元化的产品阵容覆盖了从高速信号处理、高效电源管理到AC耦合与隔直等关键功能需求，彰显了村田为高速光通信市场提供一站式、全链条解决方案的技术实力与战略深度。
Olivier Gaborieau详细介绍了村田硅电容的技术特点：
- 产品基于3D结构实现超轻薄设计，电容密度超过2.5μF/mm²，厚度可小于40μm；
- 具备最高220GHz的宽频特性，可满足3.2T及以上速率需求；
- 产品寿命长达10-20年，支持-250℃至+250℃的极端温度范围，满足各种严苛环境的可靠性要求；
- 同时符合主流认证标准，可提供通用仿真模型，具有良好的兼容性。
与业内常见的无晶圆厂模式(fabless)不同，村田拥有自己的硅电容生产线。据介绍，村田的硅电容工厂位于法国，目前已有两条生产线：一条6英寸晶圆生产线和一条8英寸晶圆生产线。8英寸工厂已于近期完成全面认证，并投入生产使用。
自有生产线带来了稳定的供应能力，这是村田在市场上的一大竞争优势。James Huang强调：“村田制作所将继续通过提高效率和优化供应链来支持全球电子行业的发展，同时保持稳定的现状。”
村田对中国市场的承诺
村田在中国市场已经深耕多年。自1973年进入中国市场以来，村田在中国建立了18个销售办事处、7个工厂和3个研发/设计中心。中国市场已成为村田最重要的市场之一。
面对中国市场的快速增长，村田在去年10月进行了组织结构调整，从区域中心模式转变为以应用市场为中心的模式。“以前是用区域性的管理，但是在去年10月份，针对各个主要市场，做了一个横向的BU化的组织重整。”James Huang解释道。新的组织结构下，村田中国分为Computing、通讯、车用、通用型市场四个事业群，根据市场发展投放相应资源。
在本地化服务方面，村田不仅提供通用版的仿真指导，还能帮助客户做优化，提供模型和免费样品，甚至解决交期问题。村田的全球网络和与客户的密切合作使其能够准确预测市场需求，提供客户所需的独特产品。
面对未来1.6T甚至更高速率的光通信需求，村田始终基于客户和行业未来的技术需求，已做出前瞻性的布局和研发。比方说：超宽频硅电容可用于信号线的AC耦合隔直，最高可达220GHz带宽，支持单通道112Gbaud以及更高速率；村田定制宽频硅基板适用于单通道28Gbaud及以上高速光通信应用，插入损耗小于0.2dB/mm，在超高速信号传输中保持极低损耗；回波损耗大于25dB，保证优异的信号完整性和低反射特性；全3D建模能力为客户提供更准确的设计指导。
James Huang表示：“我们希望能成为更优解决方案的提供者，通过加速整个算力技术的演进，进而去促进整体的电子技术迭代和社会发展。通过集合所有全球网络和资源，村田希望贡献整个Computing的生态产业链，为产业提供One-Murata的价值。”
显而易见，村田的硅电容技术正在回应AI时代对电子元器件的苛刻要求：更高频率、更小尺寸、更好稳定性。随着全球AI算力需求的持续暴涨，像村田这样能够同时提供先进技术和稳定供应的供应商，将在光通信产业链中扮演越来越重要的角色。
