恩智浦关闭美国GaN晶圆厂，退出5G射频PA业务
日前，恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布正式关闭其位于美国亚利桑那州钱德勒市的ECHO Fab晶圆厂，并全面退出基于氮化镓(GaN)技术的5G射频功率放大器(PA)芯片制造业务，标志着该公司在5G基础设施芯片领域的一次重大战略收缩。
ECHO Fab于2020年9月投入运营，是恩智浦为抢占5G基站市场而专门建设的先进产线，采用6英寸氮化镓碳化硅（GaN-on-SiC）工艺，旨在为通信设备制造商提供高性能射频功率器件。然而，随着全球5G网络部署节奏明显放缓，实际基站建设规模远低于行业早期预期——据恩智浦内部评估，市场需求已比最初预测缩水超过40%。加之运营商投资趋于谨慎，设备采购预算持续压缩，导致相关芯片订单长期低迷，难以支撑高成本的专用产线运营。
面对这一现实，恩智浦经过审慎评估后决定终止该业务线。工厂预计将在2027年第一季度完成最后一批晶圆生产后正式停运。届时，这座运行不足七年的晶圆厂将成为近年来少数因市场变化而提前关闭的先进半导体制造设施之一。
此次调整将直接影响约300名员工，目前公司尚未公布详细的人员安置方案。同时，爱立信、诺基亚等主要客户也将面临供应链重构的压力。此外，围绕ECHO Fab形成的本地材料与设备供应生态亦可能受到波及。
其实，早在今年6月，恩智浦方面就发布公告称，公司预计将在10年周期内分阶段关停全球4座8英寸晶圆厂，覆盖荷兰奈梅亨基地及美国境内3座生产设施，相关产能将逐步迁移至新建12英寸晶圆制造平台。其中，荷兰奈梅亨工厂作为恩智浦全球核心生产枢纽之一，承载约1700名员工就业，其历史可追溯至飞利浦半导体时期，具备汽车芯片全链条制造、研发与测试能力，此次纳入关停计划引发行业对成熟制程产能供给的广泛关注。
与低效产能出清同步，恩智浦正以合资共建模式加速推进全球12英寸晶圆产能布局，构建适配智能汽车等高增长领域需求的先进制造体系。
在欧洲市场，恩智浦作为核心股东参与欧洲半导体制造公司（ESMC）合资项目，联合台积电、博世、英飞凌在德国德累斯顿投建12英寸晶圆厂，项目总投资超100亿欧元（含50亿欧元政府补贴），恩智浦持股比例10%。该产线于2024年启动建设，预计2027年底实现量产，聚焦22-28nm成熟制程，规划月产能4万片，投产后将显著提升恩智浦在欧洲本土汽车芯片市场的供应保障能力与响应效率。
在亚太区域，恩智浦于2024年6月与台积电旗下世界先进达成战略合作，斥资16亿美元持股40%成立合资公司VSMC，在新加坡投建12英寸晶圆厂，项目总投资78亿美元。该工厂专注130nm-40nm混合信号、电源管理及模拟芯片制造，计划2027年量产，2029年月产能目标达5.5万片，未来不排除启动二期扩建，将成为恩智浦辐射亚太汽车电子与物联网市场的核心制造枢纽。
此外，恩智浦积极探索新兴市场布局，正与印度塔塔电子推进代工合作洽谈，计划将部分成熟制程芯片转移至塔塔古吉拉特邦12英寸晶圆厂生产，通过产能区域多元化优化成本结构，规避地缘政治风险。
从技术迭代来看，12英寸晶圆面积是8英寸的2.25倍，能降低30%以上的固定成本，在汽车芯片所需的电源管理芯片、MCU等大规模量产产品上优势显著，已经成为先进制程的核心载体。SEMI数据显示，2023-2026年全球预计将新建82座12英寸晶圆厂，到2026年，12英寸产能占比将达65%，8英寸仅占20%，行业向12英寸化转型的浪潮已不可逆转。
