欧洲芯片计划：理想与现实的鸿沟
从智能手机到生成式AI，硅基芯片驱动着塑造现代生活的核心技术。半导体不仅被视为工业部件，更已成为关乎国家实力与安全、经济韧性及科技主权的战略资产。
疫情、AI与地缘政治三重奏：芯片战略重心深度重构
疫情时期的芯片短缺揭示了高度集中式半导体供应链的脆弱本质，汽车产业被迫停产，涟漪效应更波及诸多行业。与此同时，AI技术的爆发式崛起加剧了各国对先进硅基芯片的争夺战。美国颁布系列出口管制措施，意图阻断中国在先进制程领域的发展，此举昭示了半导体在地缘政治博弈中的战略份量。
在全球最先进芯片制造商台积电所在地的中国台湾地区，这种紧张态势显露无遗。鉴于台海局势变化，该地区在全球芯片生产——尤其是先进制程领域的核心地位，已被视为关键战略脆弱点。
作为应对，多国政府相继推出产业战略，辅以史无前例的公共与私人资本投入。中美日韩及欧盟正竞相构建自主可控的韧性半导体生态体系。欧洲的解决方案即是《欧洲芯片法案》。
《欧洲芯片法案》——远景蓝图、框架结构与战略布局
《欧洲芯片法案》于2022年2月公布，其核心目标是到2030年将欧洲在全球芯片生产的份额从10%提升至20%。该法案源于疫情期间的断链困境，首次将半导体确立为欧洲实现数字自主权、保持经济竞争力及推动长远创新发展的战略基石。
《欧洲芯片法案》围绕三大核心支柱构建：
- 资助先进半导体与量子技术等领域的下一代研发；
- 支持首创新型制造、封装及测试设施；
- 建立供应链监测与应急响应协调机制。
本文聚焦第二支柱，因其对欧洲实现芯片自主的战略目标具有最直接影响。
《欧洲芯片法案》框架下的旗舰级重大项目
截至目前，欧盟委员会已批准七个旗舰项目，其中五项获得逾百亿欧元公私联合投资。按国别分布具体如下：
德国项目集群
• 欧洲半导体制造公司(ESMC)合资项目：台积电(TSMC)、博世、英飞凌及恩智浦联合投资超100亿欧元建设晶圆厂，专注28/22纳米及16/12纳米硅基芯片制造，已获50亿欧元国家援助批准。该设施预计2029年实现满产。
• 英飞凌德累斯顿扩建工程：追加投资44.6亿欧元建设分立功率器件与模拟/混合信号集成电路产线，获批9.2亿欧元政府资助，目标2031年达产。
意大利战略布局
- 意法半导体卡塔尼亚基地：计划投资50亿欧元建设碳化硅芯片制造厂，已获批20亿欧元国家援助。该产线预计2032年实现满产，将成南欧最大宽禁带半导体枢纽。
- 新加坡Silicon Box：在诺瓦拉投资32亿欧元建设先进封装中心，涵盖面板级封装与3D集成技术，获得13亿欧元政府资助，目标2033年达产。
法国重点项目动态
- 意法半导体与格罗方德联合项目：原计划在格勒诺布尔附近的克罗勒共同投资75亿欧元建设300毫米FD-SOI晶圆厂，并获得29亿欧元国家援助。该项目曾预计2027年投产，但截至2025年9月最新消息显示建设进程已暂停，后续发展存在不确定性。
其他十亿级项目动态
- 安森美(onsemi)捷克扩建计划：拟投资20亿美元(约合19亿欧元)扩建生产基地，目前正在等待国家援助审批。
- 恩智浦(NXP)研发融资：已获得欧洲投资银行10亿欧元贷款，用于支持其在欧盟多国的研发活动。
这些项目彰显欧洲重振半导体产业布局的雄心，然而计划成效几何尚待观察——地缘政治波动、全球供应链重组与技术路线竞争等外部变量，都可能影响最终产业目标的实现。
英特尔马格德堡项目搁置现状
英特尔德国马格德堡项目受挫，折射出欧洲芯片战略落地的系统性梗阻。该项目于2022年宣布启动，初始投资额170亿欧元(远期规划可扩展至300亿欧元)，包含99亿欧元获批国家援助资金。然而在建设成本激增、量产客户缺失、管理层战略转向以及行政审批迟滞与基建设施瓶颈叠加作用下，该项目最终于2025年中期正式终止。此次项目流产事件，折射出欧盟框架内更深层的制度性梗阻——该系统性缺陷正持续侵蚀其他已获批项目的生存根基。
内生挑战凸显
欧盟《芯片法案》的政策目标转化为实体项目阻力重重。即便获得国家资金批准，项目仍常因法律审查、预算流程及割裂式许可制度遭遇国家级延误。此类阻碍叠加地方协调不力，既拖长项目时间线又削弱投资者信心。更深层矛盾在于，欧盟委员会层面缺乏统一机制监测进展或预警延期。
撬动私营资本配套投资虽至关重要却举步维艰。高额资金成本、漫长回报周期及宏观经济不确定性持续阻碍资本入场。典型案例是意法半导体(ST)与格罗方德法国合资项目的停摆——据披露此举源于量产客户承诺不足、AI应用外需求疲软，以及战略重心向更具吸引力海外市场的迁移。贯穿半导体产业链的专业人才短缺持续构成硬约束，而封装测试等配套环节基建缺失更在多地区叠加风险。
外压加剧：全球竞争白热化
当欧洲仍在应对内生挑战之际，全球竞争对手的半导体战略加速推进使外部环境更趋严峻。
- 美国通过《芯片法案》527亿美元(462亿欧元)直接拨款及25%投资税收抵免，凭借私营资本动员能力与地缘政治影响力，成功吸引台积电亚利桑那晶圆厂、三星德州工厂等重大项目落户——截至2025年初已发放325亿美元补贴。
- 韩国"K-半导体战略"规划至2047年投入622万亿韩元(约4,400亿欧元，主要来自私营资本)，并配套33万亿韩元(约210亿欧元)政府支持计划，构建全球最完整供应链体系。
- 日本在半导体战略框架下承诺至2030年提供10万亿日元(约583亿欧元)政府补贴，重点支持Rapidus尖端制程联盟与台积电熊本晶圆厂等国家级项目。
- 中国自2014年起通过国家大基金投入超千亿美元，其中2024年启动的第三期基金规模达3,440亿人民币(约423亿欧元)，旨在突破出口管制加速本土芯片自主化。
- 中国台湾地区凭借台积电技术壁垒，通过尖端产线本土化、高阶人才储备及完整产业生态，持续掌控先进制程主导权。
相形之下，欧盟430亿欧元《芯片法案》的投入规模可谓杯水车薪。尽管欧洲拥有imec(比利时微电子研究中心)、CEA-Leti(法国原子能委员会电子与信息技术实验室)及ASML(阿斯麦)等机构奠定的研发与设备优势，其在半导体制造领域的存在感仍显薄弱——尤其在先进制程环节。除英特尔爱尔兰晶圆厂外，现有及规划中的产能大多集中于成熟制程，致使欧洲在人工智能与高性能计算芯片的关键战场几近失语。
破局之道：欧洲必须跨越的三重鸿沟
弥补半导体产业差距仅靠政治雄心远远不够。若无法实现快速项目审批、强化比利时当局与成员国协同机制、建立可信的执行路径，欧洲2030年占据全球芯片产能20%的目标基本无望达成。真正破局需要：极速审批通道、顶尖工程师红利、去风险化私营投资、全产业链贯通。
唯有弥合这些结构性断层，欧洲方能超越政治姿态层面，在全球半导体新版图中建立可持续战略支点。
本文翻译自国际电子商情姊妹平台EETimes Europe，原文标题：
