UP1966E 意法半导体栅极驱动器
意法半导体 UP1966E 栅极驱动器
UP1966E是意法半导体旗下的栅极驱动器 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供UP1966E现货库存与价格报价查询。我们可为您提供UP1966E datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Channel Type | Independent |
| Number of Drivers | 2 |
| Gate Type | Enhanced Mode GaN FET |
| Voltage - Supply | 4.5V ~ 5.5V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.5V, 2.3V |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 7.1A, 12.5A |
| Input Type | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 85 V |
| Rise / Fall Time (Typ) | 8ns, 4ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 12-UFBGA, WLCSP |
| Supplier Device Package | 12-WLCSP-B (1.6x1.6) |
UP1966E 意法半导体栅极驱动器 - 规格参数与选型指南
UP1966E 是由 意法半导体 制造的 栅极驱动器 类电子元器件。IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Driven Configuration: Half-Bridge、Channel Type: Independent、Number of Drivers: 2、Gate Type: Enhanced Mode GaN FET。
UP1966E 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Voltage - Supply（4.5V ~ 5.5V）、Logic Voltage - VIL, VIH（0.5V, 2.3V）、Current - Peak Output (Source, Sink)（7.1A, 12.5A）、Input Type（Non-Inverting）、High Side Voltage - Max (Bootstrap)（85 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体（EPC）作为氮化镓（GaN）功率管理器件领域的创新领导者，始终致力于推动电子元器件技术的革新。EPC率先推出了业界首款增强型氮化镓硅基（eGaN®）场效应晶体管，成功地将GaN技术应用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相较于传统的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN® 器件在性能上实现了数倍的飞跃，为众多尖端应用领域提供了卓越的解决方案。
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