EPC2112ENGRT 意法半导体全半桥驱动器
意法半导体 EPC2112ENGRT 全半桥驱动器
EPC2112ENGRT是意法半导体旗下的全半桥驱动器 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供EPC2112ENGRT现货库存与价格报价查询。我们可为您提供EPC2112ENGRT datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Output Configuration | Low Side |
| Applications | DC-DC Converters |
| Interface | On/Off |
| Load Type | Inductive |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) FETs |
| Rds On (Typ) | 32mOhm |
| Current - Output / Channel | 10A |
| Current - Peak Output | 40A |
| Voltage - Supply | 4.5V ~ 5.5V |
| Voltage - Load | 160V (Max) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Features | - |
| Fault Protection | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 10-VFBGA |
| Supplier Device Package | 10-BGA (2.9x1.1) |
EPC2112ENGRT 意法半导体全半桥驱动器 - 规格参数与选型指南
EPC2112ENGRT 是由 意法半导体 制造的 全半桥驱动器 类电子元器件。IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Output Configuration: Low Side、Applications: DC-DC Converters、Interface: On/Off、Load Type: Inductive、Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs。
EPC2112ENGRT 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Typ)（32mOhm）、Current - Output / Channel（10A）、Current - Peak Output（40A）、Voltage - Supply（4.5V ~ 5.5V）、Voltage - Load（160V (Max)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体（EPC）作为氮化镓（GaN）功率管理器件领域的创新领导者，始终致力于推动电子元器件技术的革新。EPC率先推出了业界首款增强型氮化镓硅基（eGaN®）场效应晶体管，成功地将GaN技术应用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相较于传统的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN® 器件在性能上实现了数倍的飞跃，为众多尖端应用领域提供了卓越的解决方案。
EPC2112ENGRT 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 意法半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供EPC2112ENGRT价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 EPC2112ENGRT 的最新价格和交期信息。
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