EPC23101ENGRT 意法半导体全半桥驱动器
意法半导体 EPC23101ENGRT 全半桥驱动器
EPC23101ENGRT是意法半导体旗下的全半桥驱动器 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供EPC23101ENGRT现货库存与价格报价查询。我们可为您提供EPC23101ENGRT datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Output Configuration | Half Bridge |
| Applications | General Purpose |
| Interface | Logic |
| Load Type | Inductive, Capacitive, Resistive |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) FETs |
| Rds On (Typ) | 3.3mOhm |
| Current - Output / Channel | 65A |
| Current - Peak Output | - |
| Voltage - Supply | 10V ~ 80V |
| Voltage - Load | 10V ~ 80V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Features | Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled |
| Fault Protection | ESD, UVLO |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 14-PowerWFQFN |
| Supplier Device Package | 14-QFN (3.5x5) |
EPC23101ENGRT 意法半导体全半桥驱动器 - 规格参数与选型指南
EPC23101ENGRT 是由 意法半导体 制造的 全半桥驱动器 类电子元器件。TRANS GAN 100V EPOWER STAGE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Output Configuration: Half Bridge、Applications: General Purpose、Interface: Logic、Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive、Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs。
EPC23101ENGRT 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Typ)（3.3mOhm）、Current - Output / Channel（65A）、Voltage - Supply（10V ~ 80V）、Voltage - Load（10V ~ 80V）、Operating Temperature（-40°C ~ 125°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体（EPC）作为氮化镓（GaN）功率管理器件领域的创新领导者，始终致力于推动电子元器件技术的革新。EPC率先推出了业界首款增强型氮化镓硅基（eGaN®）场效应晶体管，成功地将GaN技术应用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相较于传统的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN® 器件在性能上实现了数倍的飞跃，为众多尖端应用领域提供了卓越的解决方案。
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