| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Output Configuration | Half Bridge |
| Applications | AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose |
| Interface | Logic, PWM |
| Load Type | Inductive, Capacitive, Resistive |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) FETs |
| Rds On (Typ) | 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS |
| Current - Output / Channel | 35A |
| Current - Peak Output | - |
| Voltage - Supply | 4.5V ~ 5.5V |
| Voltage - Load | 10V ~ 80V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Features | Bootstrap Circuit |
| Fault Protection | Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 13-PowerWFQFN |
| Supplier Device Package | 13-WQFN-HR (3.5x5) |
关于 EPC23102ENGRT
EPC23102ENGRT 是由 意法半导体 制造的 全半桥驱动器 类电子元器件。IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Output Configuration: Half Bridge、Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose、Interface: Logic, PWM、Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive、Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs。
EPC23102ENGRT 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Typ)（5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS）、Current - Output / Channel（35A）、Voltage - Supply（4.5V ~ 5.5V）、Voltage - Load（10V ~ 80V）、Operating Temperature（-40°C ~ 125°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 意法半导体：意法半导体（EPC）作为氮化镓（GaN）功率管理器件领域的创新领导者，始终致力于推动电子元器件技术的革新。EPC率先推出了业界首款增强型氮化镓硅基（eGaN®）场效应晶体管，成功地将GaN技术应用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相较于传统的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN® 器件在性能上实现了数倍的飞跃，为众多尖端应用领域提供了卓越的解决方案。
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EPC23102ENGRT 是由 意法半导体 制造的 全半桥驱动器 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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