规格参数
| Product Status | Active |
| Output Configuration | Half Bridge |
| Applications | Synchronous Buck Converters |
| Interface | Logic, PWM |
| Load Type | Inductive, Capacitive |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) FETs |
| Rds On (Typ) | 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS |
| Current - Output / Channel | 12.5A |
| Current - Peak Output | - |
| Voltage - Supply | 11V ~ 13V |
| Voltage - Load | 11V ~ 13V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Features | Bootstrap Circuit |
| Fault Protection | UVLO |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 12-WFLGA |
| Supplier Device Package | 12-LGA (3.85x2.59) |
EPC2152ENGRT 意法半导体全半桥驱动器 - 规格参数与选型指南
EPC2152ENGRT 是由 意法半导体 制造的 全半桥驱动器 类电子元器件。IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Output Configuration: Half Bridge、Applications: Synchronous Buck Converters、Interface: Logic, PWM、Load Type: Inductive, Capacitive、Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs。
EPC2152ENGRT 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Typ)（8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS）、Current - Output / Channel（12.5A）、Voltage - Supply（11V ~ 13V）、Voltage - Load（11V ~ 13V）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 意法半导体：意法半导体（EPC）作为氮化镓（GaN）功率管理器件领域的创新领导者，始终致力于推动电子元器件技术的革新。EPC率先推出了业界首款增强型氮化镓硅基（eGaN®）场效应晶体管，成功地将GaN技术应用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相较于传统的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN® 器件在性能上实现了数倍的飞跃，为众多尖端应用领域提供了卓越的解决方案。
EPC2152ENGRT 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 意法半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供EPC2152ENGRT价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 EPC2152ENGRT 的最新价格和交期信息。
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