| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR4 |
| Memory Size | 4Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 1.2 GHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | - |
| Voltage - Supply | 1.14V ~ 1.26V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 96-BGA |
| Supplier Device Package | 96-BGA |
关于 IS43QR16256B-083RBLI
IS43QR16256B-083RBLI 是由 艾思科 制造的 记忆 类电子元器件。IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96BGA。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - DDR4、Memory Size: 4Gbit。
IS43QR16256B-083RBLI 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（256M x 16）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（1.2 GHz）、Write Cycle Time - Word, Page（15ns）、Voltage - Supply（1.14V ~ 1.26V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 艾思科：Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)，中文名“艾思科”，是一家在集成电路设计、开发和市场营销领域处于领先地位的科技企业。自成立以来，艾思科始终专注于为高速增长的关键市场提供高性能的**电子元器件**。其主要产品线围绕两大核心领域：**IC芯片**领域的SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）。艾思科的SRAM产品以高速度和低功耗著称，而其DRAM产品则覆盖低密度和中等密度范围，能够满足不同客户的性能和成本需求。
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新闻资讯
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