规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | NVSRAM |
| Technology | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Memory Size | 1Mbit |
| Memory Organization | 64K x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 25ns |
| Access Time | 25 ns |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
CY14B101NA-ZS25XI 英飞凌科技记忆 - 规格参数与选型指南
CY14B101NA-ZS25XI 是由 英飞凌科技 制造的 记忆 类电子元器件。IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: NVSRAM、Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)、Memory Size: 1Mbit。
CY14B101NA-ZS25XI 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（64K x 16）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（25ns）、Access Time（25 ns）、Voltage - Supply（2.7V ~ 3.6V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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深圳凌创辉电子有限公司是英飞凌科技代理商，专业供应CY14B101NA-ZS25XI等记忆 产品。如您需要CY14B101NA-ZS25XI的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
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