| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | RAM |
| Technology | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Memory Size | 4Mbit |
| Memory Organization | 256K x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 35ns |
| Access Time | 35 ns |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 44-TSOP2 |
关于 MR2A16AVYS35
MR2A16AVYS35 是由 艾斯普恩科技 制造的 记忆 类电子元器件。IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: RAM、Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)、Memory Size: 4Mbit。
MR2A16AVYS35 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（256K x 16）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（35ns）、Access Time（35 ns）、Voltage - Supply（3V ~ 3.6V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 艾斯普恩科技：艾斯普恩科技（Everspin Technologies, Inc.），总部位于亚利桑那州钱德勒，是全球领先的磁阻式随机存取存储器（MRAM）和自旋电子传输MRAM（ST-MRAM）分离式及嵌入式产品的设计、制造和商业化出货商。作为一家专注于前沿**电子元器件**和**IC芯片**研发的企业，艾斯普恩科技致力于为数据持久性与完整性、低延迟以及安全性至关重要的市场和应用提供创新的存储解决方案。公司凭借其卓越的**元器件**技术，在全球范围内享有盛誉，尤其在高性能存储领域扮演着关键角色。
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MR2A16AVYS35 是由 艾斯普恩科技 制造的 记忆 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
艾斯普恩科技 记忆 产品 MR2A16AVYS35
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