CY62177EV30LL-55BAXI 英飞凌科技记忆
英飞凌科技 CY62177EV30LL-55BAXI 记忆
CY62177EV30LL-55BAXI是英飞凌科技旗下的记忆 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供CY62177EV30LL-55BAXI现货库存与价格报价查询。我们可为您提供CY62177EV30LL-55BAXI datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | SRAM |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Memory Size | 32Mbit |
| Memory Organization | 4M x 8, 2M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 55ns |
| Access Time | 55 ns |
| Voltage - Supply | 2.2V ~ 3.7V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 48-TFBGA |
| Supplier Device Package | 48-FBGA (8x9.5) |
CY62177EV30LL-55BAXI 英飞凌科技记忆 - 规格参数与选型指南
CY62177EV30LL-55BAXI 是由 英飞凌科技 制造的 记忆 类电子元器件。IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: SRAM、Technology: SRAM - Asynchronous、Memory Size: 32Mbit。
CY62177EV30LL-55BAXI 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（4M x 8, 2M x 16）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（55ns）、Access Time（55 ns）、Voltage - Supply（2.2V ~ 3.7V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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