规格参数
| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | SRAM |
| Technology | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Memory Size | 9Mbit |
| Memory Organization | 128K x 72 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 200 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | - |
| Access Time | 3.3 ns |
| Voltage - Supply | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 484-FBGA |
| Supplier Device Package | 484-PBGA (27x27) |
CYD09S72V18-200BGXI 英飞凌科技记忆 - 规格参数与选型指南
CYD09S72V18-200BGXI 是由 英飞凌科技 制造的 记忆 类电子元器件。IC SRAM 9MBIT PARALLEL 484PBGA。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: SRAM、Technology: SRAM - Dual Port, Synchronous、Memory Size: 9Mbit。
CYD09S72V18-200BGXI 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（128K x 72）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（200 MHz）、Access Time（3.3 ns）、Voltage - Supply（1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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