GT28F800B3T120 英特尔记忆
英特尔 GT28F800B3T120 记忆
GT28F800B3T120是英特尔旗下的记忆 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供GT28F800B3T120现货库存与价格报价查询。我们可为您提供GT28F800B3T120 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - Boot Block |
| Memory Size | 8Mbit |
| Memory Organization | 512K x 16 |
| Memory Interface | CUI |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 165µs |
| Access Time | 120 ns |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 48-VFBGA |
| Supplier Device Package | 48-uBGA (7.7x9) |
GT28F800B3T120 英特尔记忆 - 规格参数与选型指南
GT28F800B3T120 是由 英特尔 制造的 记忆 类电子元器件。IC FLASH 8MBIT CUI 48UBGA。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FLASH、Technology: FLASH - Boot Block、Memory Size: 8Mbit。
GT28F800B3T120 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（512K x 16）、Memory Interface（CUI）、Write Cycle Time - Word, Page（165µs）、Access Time（120 ns）、Voltage - Supply（2.7V ~ 3.6V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 英特尔：英特尔（Intel），全球领先的半导体**元器件**设计与制造公司，以其创新能力和技术实力，赋能全球电子系统设计者，帮助他们在各自市场实现快速、高效的创新、差异化和市场成功。作为一家历史悠久且极具影响力的**电子元件**品牌，英特尔不断突破技术边界，为全球客户提供高价值的解决方案。
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