BR25G512FJ-5AE2 罗姆半导体记忆
罗姆半导体 BR25G512FJ-5AE2 记忆
BR25G512FJ-5AE2是罗姆半导体旗下的记忆 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供BR25G512FJ-5AE2现货库存与价格报价查询。我们可为您提供BR25G512FJ-5AE2 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | - |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | EEPROM |
| Technology | EEPROM |
| Memory Size | 512Kbit |
| Memory Organization | 64K x 8 |
| Memory Interface | SPI |
| Clock Frequency | 20 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 3.5ms |
| Access Time | - |
| Voltage - Supply | 1.6V ~ 5.5V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP-J |
BR25G512FJ-5AE2 罗姆半导体记忆 - 规格参数与选型指南
BR25G512FJ-5AE2 是由 罗姆半导体 制造的 记忆 类电子元器件。512KBIT, SPI BUS, SERIAL EEPROM:。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: EEPROM、Technology: EEPROM、Memory Size: 512Kbit、Memory Organization: 64K x 8。
BR25G512FJ-5AE2 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Interface（SPI）、Clock Frequency（20 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（3.5ms）、Voltage - Supply（1.6V ~ 5.5V）、Operating Temperature（-40°C ~ 85°C (TA)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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深圳凌创辉电子有限公司是罗姆半导体代理商，专业供应BR25G512FJ-5AE2等记忆 产品。如您需要BR25G512FJ-5AE2的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
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