GD25LQ255EBIRY 兆易创新记忆
兆易创新 GD25LQ255EBIRY 记忆
GD25LQ255EBIRY是兆易创新旗下的记忆 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供GD25LQ255EBIRY现货库存与价格报价查询。我们可为您提供GD25LQ255EBIRY datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | - |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR (SLC) |
| Memory Size | 256Mbit |
| Memory Organization | 32M x 8 |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O, QPI |
| Clock Frequency | 133 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | - |
| Access Time | - |
| Voltage - Supply | 1.65V ~ 2V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 24-TBGA |
| Supplier Device Package | 24-TFBGA (6x8) |
GD25LQ255EBIRY 兆易创新记忆 - 规格参数与选型指南
GD25LQ255EBIRY 是由 兆易创新 制造的 记忆 类电子元器件。LINEAR IC。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FLASH、Technology: FLASH - NOR (SLC)、Memory Size: 256Mbit、Memory Organization: 32M x 8。
GD25LQ255EBIRY 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Interface（SPI - Quad I/O, QPI）、Clock Frequency（133 MHz）、Voltage - Supply（1.65V ~ 2V）、Operating Temperature（-40°C ~ 85°C (TA)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 兆易创新：兆易创新（GigaDevice），一家诞生于2005年硅谷的领先无晶圆厂半导体公司，专注于先进存储技术和集成电路（IC）解决方案的研发与创新。自成立以来，兆易创新始终致力于推动电子元器件行业的发展，并在2016年成功于上海证券交易所上市，标志着其在中国乃至全球半导体市场的重要地位。作为一家深耕电子元件领域的企业，兆易创新提供广泛的高性能Flash存储器以及32位通用微控制器（MCU）产品。在SPI NOR Flash这一细分市场，兆易创新堪称行业先驱，凭借其卓越的技术实力和持续的创新能力，已成为全球领先者之一，每年出货量超过10亿颗，稳居全球前三。
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