| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | - |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | RAM |
| Technology | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Memory Size | 256Mbit |
| Memory Organization | 16M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 667 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | - |
| Access Time | 14 ns |
| Voltage - Supply | 1.425V ~ 1.575V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 96-TFBGA |
| Supplier Device Package | 96-BGA (10x13) |
关于 EMD3D256M16G2-150CBS1
EMD3D256M16G2-150CBS1 是由 艾斯普恩科技 制造的 记忆 类电子元器件。LINEAR IC'S。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: RAM、Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)、Memory Size: 256Mbit、Memory Organization: 16M x 16。
EMD3D256M16G2-150CBS1 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（667 MHz）、Access Time（14 ns）、Voltage - Supply（1.425V ~ 1.575V）、Operating Temperature（0°C ~ 85°C (TC)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 艾斯普恩科技：艾斯普恩科技（Everspin Technologies, Inc.），总部位于亚利桑那州钱德勒，是全球领先的磁阻式随机存取存储器（MRAM）和自旋电子传输MRAM（ST-MRAM）分离式及嵌入式产品的设计、制造和商业化出货商。作为一家专注于前沿**电子元器件**和**IC芯片**研发的企业，艾斯普恩科技致力于为数据持久性与完整性、低延迟以及安全性至关重要的市场和应用提供创新的存储解决方案。公司凭借其卓越的**元器件**技术，在全球范围内享有盛誉，尤其在高性能存储领域扮演着关键角色。
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EMD3D256M16G2-150CBS1 是由 艾斯普恩科技 制造的 记忆 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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