TC55V1001AFTI-85L 东芝记忆
东芝 TC55V1001AFTI-85L 记忆
TC55V1001AFTI-85L是东芝旗下的记忆 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供TC55V1001AFTI-85L现货库存与价格报价查询。我们可为您提供TC55V1001AFTI-85L datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | SRAM |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Memory Size | 1Mbit |
| Memory Organization | 128K x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 85ns |
| Access Time | - |
| Voltage - Supply | 3.3V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | 32-TSOP |
TC55V1001AFTI-85L 东芝记忆 - 规格参数与选型指南
TC55V1001AFTI-85L 是由 东芝 制造的 记忆 类电子元器件。SRAM ASYNC SLOW 1M 128Kx8 3.3V 3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: SRAM、Technology: SRAM - Asynchronous、Memory Size: 1Mbit。
TC55V1001AFTI-85L 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（128K x 8）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（85ns）、Voltage - Supply（3.3V）、Operating Temperature（-40°C ~ 85°C (TA)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 东芝：东芝（TOSHIBA），这个享誉全球的电子元器件品牌，自1875年创立以来，便以其深厚的科技底蕴和持续的创新精神，在电子产业的舞台上书写着辉煌的历史。作为一家拥有百年传承的综合性电子企业，东芝致力于为全球客户提供高品质、高性能的电子元器件产品和解决方案，其业务遍及世界各地，深刻影响着现代科技的方方面面。
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