MR48V256ATAZBARL 罗姆半导体记忆
罗姆半导体 MR48V256ATAZBARL 记忆
MR48V256ATAZBARL是罗姆半导体旗下的记忆 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供MR48V256ATAZBARL现货库存与价格报价查询。我们可为您提供MR48V256ATAZBARL datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FRAM |
| Technology | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Memory Size | 256Kbit |
| Memory Organization | 32K x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 150ns |
| Access Time | 70 ns |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) |
| Supplier Device Package | 28-TSOP I |
MR48V256ATAZBARL 罗姆半导体记忆 - 规格参数与选型指南
MR48V256ATAZBARL 是由 罗姆半导体 制造的 记忆 类电子元器件。IC FRAM 256KBIT PAR 28TSOP I。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FRAM、Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)、Memory Size: 256Kbit。
MR48V256ATAZBARL 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（32K x 8）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（150ns）、Access Time（70 ns）、Voltage - Supply（3V ~ 3.6V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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