M68AW512ML70ND6 意法半导体记忆
意法半导体 M68AW512ML70ND6 记忆
M68AW512ML70ND6是意法半导体旗下的记忆 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供M68AW512ML70ND6现货库存与价格报价查询。我们可为您提供M68AW512ML70ND6 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | SRAM |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Memory Size | 8Mbit |
| Memory Organization | 512K x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70ns |
| Access Time | 70 ns |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
M68AW512ML70ND6 意法半导体记忆 - 规格参数与选型指南
M68AW512ML70ND6 是由 意法半导体 制造的 记忆 类电子元器件。IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: SRAM、Technology: SRAM - Asynchronous、Memory Size: 8Mbit。
M68AW512ML70ND6 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（512K x 16）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（70ns）、Access Time（70 ns）、Voltage - Supply（2.7V ~ 3.6V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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