MD56V62160M-7TAZ0AX 罗姆半导体记忆
罗姆半导体 MD56V62160M-7TAZ0AX 记忆
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规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM |
| Memory Size | 64Mbit |
| Memory Organization | 4M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 143 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 7ns |
| Access Time | 5.4 ns |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 54-TSOP II |
MD56V62160M-7TAZ0AX 罗姆半导体记忆 - 规格参数与选型指南
MD56V62160M-7TAZ0AX 是由 罗姆半导体 制造的 记忆 类电子元器件。IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM、Memory Size: 64Mbit。
MD56V62160M-7TAZ0AX 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（4M x 16）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（143 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（7ns）、Access Time（5.4 ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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