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TH58BYG2S3HBAI6

¥0.00
记忆

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

参数名称参数值
Product StatusActive
DigiKey ProgrammableNot Verified
Memory TypeNon-Volatile
Memory FormatFLASH
TechnologyFLASH - NAND (SLC)
Memory Size4Gbit
Memory Organization512M x 8
Memory InterfaceParallel
Clock Frequency-
Write Cycle Time - Word, Page25ns
Access Time25 ns
Voltage - Supply1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case67-VFBGA
Supplier Device Package67-VFBGA (6.5x8)

关于 TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6 是由 铠侠美国公司 制造的 记忆 类电子元器件。IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FLASH、Technology: FLASH - NAND (SLC)、Memory Size: 4Gbit。

TH58BYG2S3HBAI6 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization(512M x 8)、Memory Interface(Parallel)、Write Cycle Time - Word, Page(25ns)、Access Time(25 ns)、Voltage - Supply(1.7V ~ 1.95V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 铠侠美国公司:**铠侠美国公司(Kioxia America, Inc.):引领存储技术革新的全球领导者**

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TH58BYG2S3HBAI6 是由 铠侠美国公司 制造的 记忆 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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新闻资讯

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