MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR 美光科技记忆
美光科技 记忆 产品 MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Memory Size | 32Gbit |
| Memory Organization | 512M x 64 |
| Memory Interface | - |
| Clock Frequency | 2.133 GHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | - |
| Access Time | - |
| Voltage - Supply | 1.1V |
| Operating Temperature | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 432-VFBGA |
| Supplier Device Package | 432-VFBGA (15x15) |
美光科技 记忆 产品 MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR产品描述
MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR 是由 美光科技 制造的 记忆 类电子元器件。IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGA。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4、Memory Size: 32Gbit。
MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（512M x 64）、Clock Frequency（2.133 GHz）、Voltage - Supply（1.1V）、Operating Temperature（-30°C ~ 85°C (TC)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美光科技：美光科技（Micron Technology）作为全球领先的**电子元器件**制造商，致力于提供创新性的内存和存储解决方案，驱动着人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗乃至于太空探索等当前最具影响力且颠覆性的技术突破。凭借超过40年的行业深耕，美光科技在**电子元件**领域积累了深厚的专业知识和技术实力，其核心竞争力在于不断探索更快速、更高效的数据收集、存储和管理方式，从而深刻地革新和提升全球沟通、学习与进步的模式。
MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 美光科技 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR 的最新价格和交期信息。
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