MT47H128M4SH-25E:H TR 美光科技记忆
美光科技 记忆 产品 MT47H128M4SH-25E:H TR
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR2 |
| Memory Size | 512Mbit |
| Memory Organization | 128M x 4 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 400 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | 400 ps |
| Voltage - Supply | 1.7V ~ 1.9V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 60-TFBGA |
| Supplier Device Package | 60-FBGA (8x10) |
美光科技 记忆 产品 MT47H128M4SH-25E:H TR产品描述
MT47H128M4SH-25E:H TR 是由 美光科技 制造的 记忆 类电子元器件。IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - DDR2、Memory Size: 512Mbit。
MT47H128M4SH-25E:H TR 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（128M x 4）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（400 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（15ns）、Access Time（400 ps） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美光科技：美光科技（Micron Technology）作为全球领先的**电子元器件**制造商，致力于提供创新性的内存和存储解决方案，驱动着人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗乃至于太空探索等当前最具影响力且颠覆性的技术突破。凭借超过40年的行业深耕，美光科技在**电子元件**领域积累了深厚的专业知识和技术实力，其核心竞争力在于不断探索更快速、更高效的数据收集、存储和管理方式，从而深刻地革新和提升全球沟通、学习与进步的模式。
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