| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR4 |
| Memory Size | 4Gbit |
| Memory Organization | 512M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | 19 ns |
| Voltage - Supply | 1.14V ~ 1.26V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 78-TFBGA |
| Supplier Device Package | 78-FBGA (7.5x11) |
关于 MT40A512M8SA-062E:G
MT40A512M8SA-062E:G 是由 美光科技 制造的 记忆 类电子元器件。IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - DDR4、Memory Size: 4Gbit。
MT40A512M8SA-062E:G 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（512M x 8）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（1.6 GHz）、Write Cycle Time - Word, Page（15ns）、Access Time（19 ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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新闻资讯
美光科技 记忆 产品 MT40A512M8SA-062E:G
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