MR0A16AYS35R 恩智浦半导体记忆
恩智浦半导体 MR0A16AYS35R 记忆
MR0A16AYS35R是恩智浦半导体旗下的记忆 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供MR0A16AYS35R现货库存与价格报价查询。我们可为您提供MR0A16AYS35R datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | RAM |
| Technology | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Memory Size | 1Mbit |
| Memory Organization | 64K x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 35ns |
| Access Time | 35 ns |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
MR0A16AYS35R 恩智浦半导体记忆 - 规格参数与选型指南
MR0A16AYS35R 是由 恩智浦半导体 制造的 记忆 类电子元器件。IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II。该器件的核心参数包括：Product Status: Discontinued at Digi-Key、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: RAM、Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)、Memory Size: 1Mbit。
MR0A16AYS35R 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（64K x 16）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（35ns）、Access Time（35 ns）、Voltage - Supply（3V ~ 3.6V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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