HEC4023BT,112 恩智浦半导体门和逆变器
恩智浦半导体 HEC4023BT,112 门和逆变器
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规格参数
| Product Status | Active |
| Logic Type | NAND Gate |
| Number of Circuits | 3 |
| Number of Inputs | 3 |
| Features | - |
| Voltage - Supply | 3V ~ 15V |
| Current - Quiescent (Max) | 4 µA |
| Current - Output High, Low | 3.4mA, 3.4mA |
| Input Logic Level - Low | 1.5V ~ 4V |
| Input Logic Level - High | 3.5V ~ 11V |
| Max Propagation Delay @ V, Max CL | 30ns @ 15V, 50pF |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 14-SO |
| Package / Case | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
HEC4023BT,112 恩智浦半导体门和逆变器 - 规格参数与选型指南
HEC4023BT,112 是由 恩智浦半导体 制造的 门和逆变器 类电子元器件。IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SO。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Logic Type: NAND Gate、Number of Circuits: 3、Number of Inputs: 3、Voltage - Supply: 3V ~ 15V、Current - Quiescent (Max): 4 µA。
HEC4023BT,112 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Output High, Low（3.4mA, 3.4mA）、Input Logic Level - Low（1.5V ~ 4V）、Input Logic Level - High（3.5V ~ 11V）、Max Propagation Delay @ V, Max CL（30ns @ 15V, 50pF）、Operating Temperature（-55°C ~ 125°C） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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