规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| Current Drain (Id) - Max | 50 mA |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1.5 V @ 0.1 µA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Resistance - RDS(On) | - |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
JFE2140DR 德州仪器JFET - 规格参数与选型指南
JFE2140DR 是由 德州仪器 制造的 JFET 类电子元器件。JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: 2 N-Channel (Dual)、Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current Drain (Id) - Max: 50 mA、Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 0.1 µA。
JFE2140DR 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（13pF @ 5V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)）、Supplier Device Package（8-SOIC） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德州仪器：德州仪器公司（Texas Instruments Incorporated，简称TI）是一家全球领先的半导体设计和制造企业，专注于开发模拟集成电路和嵌入式处理器。通过汇聚全球最杰出的人才，TI不断创造出塑造科技未来的创新成果。TI正助力超过10万名客户在当下变革未来。
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