
规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 500 µA @ 15 V |
| Current Drain (Id) - Max | - |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 4 V @ 1 nA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistance - RDS(On) | - |
| Power - Max | 625 mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
PN4302 中央半导体JFET - 规格参数与选型指南
PN4302 是由 中央半导体 制造的 JFET 类电子元器件。JFET N-CH 30V TO92-3。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V、Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500 µA @ 15 V、Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA、Power - Max: 625 mW。
PN4302 共有 10 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Through Hole)、Package / Case(TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA))、Supplier Device Package(TO-92-3) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 中央半导体:Central Semiconductor,中文名「中央半导体」,自1974年起,便致力于为全球电子产品制造创新型分立式半导体元器件。作为业界资深的电子元件制造商,中央半导体在数十年的发展历程中,凭借其卓越的技术实力和对品质的不懈追求,赢得了广泛的市场认可。其核心产品线涵盖了种类繁多的电子元件,包括但不限于标准及定制化的小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFETs、二极管、整流器、保护器件、限流二极管、桥式整流器、晶闸管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。这些高质量的IC芯片和分立半导体元件,是现代电子设备不可或缺的组成部分。
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