PMBFJ620,115 恩智浦半导体JFET
恩智浦半导体 PMBFJ620,115 JFET
PMBFJ620,115是恩智浦半导体旗下的JFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供PMBFJ620,115现货库存与价格报价查询。我们可为您提供PMBFJ620,115 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 24 mA @ 10 V |
| Current Drain (Id) - Max | - |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 2 V @ 1 µA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 10V |
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohms |
| Power - Max | 190 mW |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP |
PMBFJ620,115 恩智浦半导体JFET - 规格参数与选型指南
PMBFJ620,115 是由 恩智浦半导体 制造的 JFET 类电子元器件。JFET 2N-CH 25V 6TSSOP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: 2 N-Channel (Dual)、Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V、Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V、Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24 mA @ 10 V、Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 µA。
PMBFJ620,115 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（5pF @ 10V）、Resistance - RDS(On)（50 Ohms）、Power - Max（190 mW）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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