BB804SF1E6327 英飞凌科技可变电容（变容二极管、变抗器）
英飞凌科技 BB804SF1E6327 可变电容（变容二极管、变抗器）
BB804SF1E6327是英飞凌科技旗下的可变电容（变容二极管、变抗器） 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供BB804SF1E6327现货库存与价格报价查询。我们可为您提供BB804SF1E6327 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Capacitance @ Vr, F | 47.5pF @ 2V, 1MHz |
| Capacitance Ratio | 1.71 |
| Capacitance Ratio Condition | C2/C8 |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 18 V |
| Diode Type | 1 Pair Common Cathode |
| Q @ Vr, F | 200 @ 2V, 100MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
BB804SF1E6327 英飞凌科技可变电容（变容二极管、变抗器） - 规格参数与选型指南
BB804SF1E6327 是由 英飞凌科技 制造的 可变电容（变容二极管、变抗器） 类电子元器件。VARIABLE CAPACITANCE DIODE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Capacitance @ Vr, F: 47.5pF @ 2V, 1MHz、Capacitance Ratio: 1.71、Capacitance Ratio Condition: C2/C8、Voltage - Peak Reverse (Max): 18 V、Diode Type: 1 Pair Common Cathode。
BB804SF1E6327 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Q @ Vr, F（200 @ 2V, 100MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 125°C）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3）、Supplier Device Package（PG-SOT23） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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