| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Diode Type | PIN - Single |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
| Current - Max | 200 mA |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Resistance @ If, F | 2.5Ohm @ 10mA, 500MHz |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | 0805 (2012 Metric) |
| Supplier Device Package | 2012 |
关于 MSAT-N25
MSAT-N25 是由 MACOM科技解决方案 制造的 射频二极管 类电子元器件。DIODE,NIP ATTENUATOR DIODE-PACKA。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Diode Type: PIN - Single、Voltage - Peak Reverse (Max): 200V、Current - Max: 200 mA、Resistance @ If, F: 2.5Ohm @ 10mA, 500MHz、Operating Temperature: 175°C (TJ)。
MSAT-N25 共有 8 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Package / Case（0805 (2012 Metric)）、Supplier Device Package（2012） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 MACOM科技解决方案：**MACOM科技解决方案：赋能高速通信与智能连接的半导体先驱**
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MACOM科技解决方案 射频二极管 产品 MSAT-N25
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