| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Diode Type | Schottky - Quad |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 20V |
| Current - Max | 50 mA |
| Capacitance @ Vr, F | 0.03pF @ 0V, 1MHz |
| Resistance @ If, F | 28Ohm @ 5mA, 1MHz |
| Power Dissipation (Max) | 75 mW |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TA) |
| Package / Case | B89 |
| Supplier Device Package | B89 |
关于 MGS912
MGS912 是由 MACOM科技解决方案 制造的 射频二极管 类电子元器件。GAAS SCHOTTKY DIODE, 4 JUNCTION。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Diode Type: Schottky - Quad、Voltage - Peak Reverse (Max): 20V、Current - Max: 50 mA、Capacitance @ Vr, F: 0.03pF @ 0V, 1MHz、Resistance @ If, F: 28Ohm @ 5mA, 1MHz。
MGS912 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power Dissipation (Max)（75 mW）、Operating Temperature（-65°C ~ 150°C (TA)）、Package / Case（B89）、Supplier Device Package（B89） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 MACOM科技解决方案：**MACOM科技解决方案：赋能高速通信与智能连接的半导体先驱**
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MGS912 是由 MACOM科技解决方案 制造的 射频二极管 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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MACOM科技解决方案 射频二极管 产品 MGS912
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