
APTDC20H601G 美高森美桥式整流器
美高森美 APTDC20H601G 桥式整流器
APTDC20H601G是美高森美旗下的桥式整流器 产品,深圳凌创辉电子有限公司提供APTDC20H601G现货库存与价格报价查询。我们可为您提供APTDC20H601G datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐,原装正品保障,支持批量采购与在线询价,发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Diode Type | Single Phase |
| Technology | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 20 A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 20 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 400 µA @ 600 V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP1 |
| Supplier Device Package | SP1 |
APTDC20H601G 美高森美桥式整流器 - 规格参数与选型指南
APTDC20H601G 是由 美高森美 制造的 桥式整流器 类电子元器件。BRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A SP1。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、Diode Type: Single Phase、Technology: Silicon Carbide Schottky、Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V、Current - Average Rectified (Io): 20 A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A。
APTDC20H601G 共有 11 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Reverse Leakage @ Vr(400 µA @ 600 V)、Operating Temperature(-40°C ~ 175°C (TJ))、Mounting Type(Chassis Mount)、Package / Case(SP1)、Supplier Device Package(SP1) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美:**美高森美 (Microsemi):高性能半导体解决方案的行业领导者**
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