| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 150 µA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr, F | 650pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
关于 STPSC1006G-TR
STPSC1006G-TR 是由 STMicroelectronics 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE SIL CARBIDE 600V 10A D2PAK。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V、Current - Average Rectified (Io): 10A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
STPSC1006G-TR 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（150 µA @ 600 V）、Capacitance @ Vr, F（650pF @ 0V, 1MHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 STMicroelectronics：STMicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum of microelectronics applications. An unrivaled combination of silicon and system expertise, manufacturing strength, Intellectual Property (IP) por...
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