规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 26A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 36 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
P3D06008T2 PN结半导体单二极管 - 规格参数与选型指南
P3D06008T2 是由 PN结半导体 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE SIL CARB 650V 26A TO220-2。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V、Current - Average Rectified (Io): 26A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)、Reverse Recovery Time (trr): 0 ns。
P3D06008T2 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Reverse Leakage @ Vr（36 µA @ 650 V）、Package / Case（TO-220-2）、Supplier Device Package（TO-220-2）、Operating Temperature - Junction（-55°C ~ 175°C） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 PN结半导体：PN Junction Semiconductor，中文名“PN结半导体”，是一家专注于高性能功率半导体器件设计与销售的创新型企业，采用Fabless（无晶圆厂）模式，致力于为全球客户提供领先的电子元器件解决方案。品牌自成立以来，便与全球顶级的晶圆代工厂X-FAB建立了深厚的战略合作伙伴关系。X-FAB作为一家拥有超过30年历史且完全通过汽车行业严苛认证的晶圆厂，为PN结半导体提供了卓越的硅碳化物（SiC）功率器件制造支持，确保了产品的高品质与可靠性，使其在竞争激烈的元器件市场中脱颖而出。
P3D06008T2 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 PN结半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供P3D06008T2价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 P3D06008T2 的最新价格和交期信息。
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