规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1 V @ 12 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr, F | 310pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
IDD12SG60CXTMA2 英飞凌科技单二极管 - 规格参数与选型指南
IDD12SG60CXTMA2 是由 英飞凌科技 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE SIL CARB 600V 12A TO252-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V、Current - Average Rectified (Io): 12A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
IDD12SG60CXTMA2 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（100 µA @ 600 V）、Capacitance @ Vr, F（310pF @ 1V, 1MHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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