| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Technology | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500 mV @ 30 mA |
| Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 5 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 25 V |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-523 |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
关于 GSBAT54AT
GSBAT54AT 是由 固錸 semiconductor 制造的 二极管阵列 类电子元器件。DIODE, SCHOTTKY, DUAL CA, 200MA,。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Diode Configuration: 1 Pair Common Anode、Technology: Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 30 mA。
GSBAT54AT 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed）、Reverse Recovery Time (trr)（5 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（2 µA @ 25 V）、Operating Temperature - Junction（-65°C ~ 150°C）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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GSBAT54AT 是由 固錸 semiconductor 制造的 二极管阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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