PMEG2005CT-QR Nexperia二极管阵列
Nexperia PMEG2005CT-QR 二极管阵列
PMEG2005CT-QR是Nexperia旗下的二极管阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供PMEG2005CT-QR现货库存与价格报价查询。我们可为您提供PMEG2005CT-QR datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 500mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 390 mV @ 500 mA |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 22 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 20 V |
| Operating Temperature - Junction | 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
PMEG2005CT-QR Nexperia二极管阵列 - 规格参数与选型指南
PMEG2005CT-QR 是由 Nexperia 制造的 二极管阵列 类电子元器件。PMEG2005CT-Q/SOT23/TO-236AB。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode、Technology: Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500mA、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 500 mA。
PMEG2005CT-QR 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)）、Reverse Recovery Time (trr)（22 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（200 µA @ 20 V）、Operating Temperature - Junction（150°C）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分，Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合，涵盖了二极管、双极晶体管、ESD（静电放电）保护器件、MOSFETs、GaN（氮化镓）FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
PMEG2005CT-QR 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 Nexperia 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供PMEG2005CT-QR价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 PMEG2005CT-QR 的最新价格和交期信息。
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