BAS16T116 罗姆半导体单二极管
罗姆半导体 BAS16T116 单二极管
BAS16T116是罗姆半导体旗下的单二极管 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供BAS16T116现货库存与价格报价查询。我们可为您提供BAS16T116 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 100mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 100 mA |
| Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 nA @ 70 V |
| Capacitance @ Vr, F | 3.5pF @ 6V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SSD3 |
| Operating Temperature - Junction | 150°C |
BAS16T116 罗姆半导体单二极管 - 规格参数与选型指南
BAS16T116 是由 罗姆半导体 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE GEN PURP 80V 100MA SSD3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V、Current - Average Rectified (Io): 100mA、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA、Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed。
BAS16T116 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（4 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（100 nA @ 70 V）、Capacitance @ Vr, F（3.5pF @ 6V, 1MHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
BAS16T116 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供BAS16T116价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 BAS16T116 的最新价格和交期信息。
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