JANKCE1N5809 微芯科技单二极管
微芯科技 JANKCE1N5809 单二极管
JANKCE1N5809是微芯科技旗下的单二极管 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供JANKCE1N5809现货库存与价格报价查询。我们可为您提供JANKCE1N5809 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
JANKCE1N5809 微芯科技单二极管 - 规格参数与选型指南
JANKCE1N5809 是由 微芯科技 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE GEN PURP 100V 3A DIE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V、Current - Average Rectified (Io): 3A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A、Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)。
JANKCE1N5809 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（30 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（5 µA @ 100 V）、Capacitance @ Vr, F（60pF @ 10V, 1MHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（Die） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
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