
BAS316/ZLF 恩智浦半导体单二极管
恩智浦半导体 单二极管 产品 BAS316/ZLF
深圳凌创辉电子有限公司是恩智浦半导体代理商,专业供应BAS316/ZLF等单二极管 产品。我们提供BAS316/ZLF现货库存、原装正品保障、pdf参数资料下载以及有竞争力的报价,支持在线询价、当天发货。
如需获取BAS316/ZLF的最新报价或技术支持,请联系我们的销售团队:0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 215mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 80 V |
| Capacitance @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-76, SOD-323 |
| Supplier Device Package | SOD-323 |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
恩智浦半导体 单二极管 产品 BAS316/ZLF产品描述
BAS316/ZLF 是由 恩智浦半导体 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V、Current - Average Rectified (Io): 215mA、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA、Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)。
BAS316/ZLF 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)(4 ns)、Current - Reverse Leakage @ Vr(500 nA @ 80 V)、Capacitance @ Vr, F(1.5pF @ 0V, 1MHz)、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(SC-76, SOD-323) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 恩智浦半导体:**恩智浦半导体(NXP Semiconductors):连接未来,驱动智能世界**
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