CPT40080 美高森美二极管阵列
美高森美 CPT40080 二极管阵列
CPT40080是美高森美旗下的二极管阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供CPT40080现货库存与价格报价查询。我们可为您提供CPT40080 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 890 mV @ 200 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 80 V |
| Operating Temperature - Junction | - |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
CPT40080 美高森美二极管阵列 - 规格参数与选型指南
CPT40080 是由 美高森美 制造的 二极管阵列 类电子元器件。DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode、Technology: Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 200 A。
CPT40080 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)）、Current - Reverse Leakage @ Vr（5 mA @ 80 V）、Mounting Type（Chassis Mount）、Supplier Device Package（Twin Tower） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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