D16-4148E3/TU 美高森美二极管阵列
美高森美 D16-4148E3/TU 二极管阵列
D16-4148E3/TU是美高森美旗下的二极管阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供D16-4148E3/TU现货库存与价格报价查询。我们可为您提供D16-4148E3/TU datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
如需获取D16-4148E3/TU的最新价格或技术支持，请联系我们：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 8 Independent |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | - |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 100 mA |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 5 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 50 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Supplier Device Package | 16-DIP |
D16-4148E3/TU 美高森美二极管阵列 - 规格参数与选型指南
D16-4148E3/TU 是由 美高森美 制造的 二极管阵列 类电子元器件。DIODE ARRAY GP 100V 16DIP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Diode Configuration: 8 Independent、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA、Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)。
D16-4148E3/TU 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（5 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（100 µA @ 50 V）、Operating Temperature - Junction（-55°C ~ 150°C）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（16-DIP (0.300", 7.62mm)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
D16-4148E3/TU 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 美高森美 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供D16-4148E3/TU价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 D16-4148E3/TU 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是美高森美代理商，专业供应D16-4148E3/TU等二极管阵列 产品。如您需要D16-4148E3/TU的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供D16-4148E3/TU现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
