UFT5010A 美高森美二极管阵列
美高森美 UFT5010A 二极管阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 25A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 25 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 15 µA @ 100 V |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | - |
UFT5010A 美高森美二极管阵列 - 规格参数与选型指南
UFT5010A 是由 美高森美 制造的 二极管阵列 类电子元器件。DIODE GP 100V 25A TO-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Diode Configuration: 1 Pair Common Anode、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A。
UFT5010A 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)）、Reverse Recovery Time (trr)（35 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（15 µA @ 100 V）、Operating Temperature - Junction（-65°C ~ 175°C） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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