规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 300 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-45 |
SDB20S30 英飞凌科技二极管阵列 - 规格参数与选型指南
SDB20S30 是由 英飞凌科技 制造的 二极管阵列 类电子元器件。DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V D2PAK。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A。
SDB20S30 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（No Recovery Time > 500mA (Io)）、Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（200 µA @ 300 V）、Operating Temperature - Junction（-55°C ~ 175°C）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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