RB886Y9HKT2R 罗姆半导体二极管阵列
罗姆半导体 RB886Y9HKT2R 二极管阵列
RB886Y9HKT2R是罗姆半导体旗下的二极管阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供RB886Y9HKT2R现货库存与价格报价查询。我们可为您提供RB886Y9HKT2R datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Technology | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 15 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10mA (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 350 mV @ 1 mA |
| Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 120 µA @ 5 V |
| Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75-4, SOT-543 |
| Supplier Device Package | EMD4 |
RB886Y9HKT2R 罗姆半导体二极管阵列 - 规格参数与选型指南
RB886Y9HKT2R 是由 罗姆半导体 制造的 二极管阵列 类电子元器件。DIODE SCHOTTKY SMD。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Diode Configuration: 2 Independent、Technology: Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10mA (DC)、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 1 mA。
RB886Y9HKT2R 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed）、Current - Reverse Leakage @ Vr（120 µA @ 5 V）、Operating Temperature - Junction（125°C (Max)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SC-75-4, SOT-543） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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