NRVBD640CTT4G 安森美二极管阵列
安森美 二极管阵列 产品 NRVBD640CTT4G
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700 mV @ 3 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 40 V |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | DPAK |
安森美 二极管阵列 产品 NRVBD640CTT4G产品描述
NRVBD640CTT4G 是由 安森美 制造的 二极管阵列 类电子元器件。DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAK。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode、Technology: Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A。
NRVBD640CTT4G 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)）、Current - Reverse Leakage @ Vr（100 µA @ 40 V）、Operating Temperature - Junction（-65°C ~ 175°C）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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