| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Frequency | 1.8GHz ~ 2.8GHz |
| P1dB | 33dBm |
| Gain | 26.5dB |
| Noise Figure | 5.8dB |
| RF Type | LTE, TDS-CDMA, W-CDMA |
| Voltage - Supply | 3V ~ 5V |
| Current - Supply | 390mA |
| Test Frequency | 2.5GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 12-VFQFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 12-QFN (3x3) |
关于 MMZ25332BT1
MMZ25332BT1 是由 恩智浦半导体 制造的 射频放大器 类电子元器件。IC AMP LTE 1.8GHZ-2.8GHZ 12QFN。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Frequency: 1.8GHz ~ 2.8GHz、P1dB: 33dBm、Gain: 26.5dB、Noise Figure: 5.8dB、RF Type: LTE, TDS-CDMA, W-CDMA。
MMZ25332BT1 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Voltage - Supply（3V ~ 5V）、Current - Supply（390mA）、Test Frequency（2.5GHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（12-VFQFN Exposed Pad） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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