| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 20A |
| Power - Max | 166 W |
| Switching Energy | 770µJ |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 120 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/199ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 12Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 41 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
关于 IKB20N60TATMA1
IKB20N60TATMA1 是由 Infineon Technologies 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 600V 40A 166W TO263-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 40 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A。
IKB20N60TATMA1 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（166 W）、Switching Energy（770µJ）、Input Type（Standard）、Gate Charge（120 nC）、Td (on/off) @ 25°C（18ns/199ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Infineon Technologies：On April 1st, 1999, Siemens Semiconductors became Infineon Technologies. A dynamic more flexible company geared towards success in the competitive, ever-changing world of microelectronics. Infineon is a leading global designer, manufacturer and supplier of a broad range of semiconductors used in var...
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新闻资讯
Infineon Technologies 单 IGBT 产品 IKB20N60TATMA1
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